ASML збільшила потужність джерела EUV до 1000 Вт
Актуальні технічні новини, тому, що EUV-літографія — це критично важлива технологія, від якої залежить виробництво майже всіх найсучасніших комп'ютерних чипів у світі.
ASML збільшила потужність джерела EUV-випромінювання у своїх літографічних установках із 600 до 1000 Вт. За оцінкою компанії, це дозволить до 2030 року збільшити випуск мікросхем приблизно на 50 % при одночасному зниженні собівартості виробництва. Нідерландська компанія ASML є єдиним у світі виробником комерційних систем EUV-літографії, що застосовуються для випуску передових чипів такими компаніями, як TSMC та Intel. Оновлення стосується ключового елемента установок — джерела випромінювання з довжиною хвилі 13,5 нм.
Продуктивність та ефективність
Підвищення потужності безпосередньо збільшує продуктивність обладнання:
До кінця десятиліття одна EUV-система зможе обробляти до 330 кремнієвих пластин на годину (проти нинішніх 220).
Потужніше випромінювання скорочує час експозиції.
Це дозволяє випускати більше кристалів за той самий період і знижувати витрати на одиницю продукції.
Технологічні особливості
Технологія генерації EUV вважається однією з найскладніших у сучасній промисловості.
Для отримання випромінювання потік розплавлених крапель олова опромінюється потужним лазером.
Олово перетворюється на плазму з температурою, що перевищує температуру поверхні Сонця.
Випромінювання збирається та спрямовується високоточною оптикою для формування малюнка на пластині, покритій фоторезистом.
Ключові зміни включають збільшення кількості крапель олова до приблизно 100 000 на секунду та застосування двох лазерних імпульсів для формування плазми замість одного.
У компанії вважають, що досягнутий рівень відкриває шлях до подальшого зростання потужності — до 1500 Вт і потенційно до 2000 Вт.
EUV (від англ. Extreme Ultraviolet — екстремальний ультрафіолет) — це вид електромагнітного випромінювання, який використовується в сучасній напівпровідниковій промисловості для створення найменших і найшвидших мікрочипів.
Основні характеристики EUV-випромінювання:
Довжина хвилі: Зазвичай використовується випромінювання з довжиною хвилі 13,5 нанометра. Це значно менше, ніж у попередніх технологіях (DUV — 193 нм), що дозволяє малювати на кремнії елементи розміром у кілька нанометрів.
Як створюється: EUV-світло отримують не звичайним лазером, а шляхом впливу потужного лазера на мікроскопічні краплі розплавленого олова у вакуумі. Це створює надзвичайно гарячу плазму, яка випромінює світло в потрібному спектрі.
Застосування (EUV-літографія): Це серце виробництва передових чипів для штучного інтелекту, смартфонів та сучасного озброєння.
Складність технології: Виробництво EUV-літографів (наприклад, компанією ASML) є однією з найскладніших інженерних задач, що вимагає ідеальної чистоти та величезної кількості енергії — мегавати електроенергії для отримання кількох ват корисного випромінювання.
Фактично, ключовий елемент установок — джерела випромінювання з довжиною хвилі 13,5 нм, шляхом затрат величезної кількості енергії — мегавати електроенергії для отримання кількох ват корисного випромінювання.
Optical computing врятував закон Мура, але Optical computing і ASML разом не помічені. А чому? Уявляєте, наш світ цінує не істину, а шукає прибуток, особливо з перевіреним науковим бекграундом, простий принцип: «своїм дорога, чужим білі тапочки». Щоб ви сказалися зі своїм прибутком…
https://btg18.blogspot.com/2025/09/blog-post_24.html «Електролазери і електрино »
Коментарі
Дописати коментар